在 N 沟道 MOS 管中，当栅极施加正电压时，栅极附近的电子被排斥，形成一个电子空缺区域，这就是耗尽层。相反，在 P 沟道 MOS 管中，当栅极施加负电压时，栅极附近的空穴被排斥，形成一个空穴空缺区域，这也是耗尽层。
